作為第三代半導(dǎo)體材料雙雄之一的碳化硅，具有高電場(chǎng)強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、寬禁帶寬度、高飽和漂移速度優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在微波及高頻和短波長(zhǎng)器件以及功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。

    我司自2014年9月開始與華智科技（國際）有限公司合作開發(fā)碳化硅二極管，經(jīng)前期技術(shù)討論、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、流程測(cè)試，歷時(shí)近一年，2015年9月中旬完成產(chǎn)品測(cè)試，第一次流片達(dá)到1200V的設(shè)計(jì)要求，合作成果超越了華智的預(yù)期，體現(xiàn)了我司在特種器件上的雄厚的技術(shù)儲(chǔ)備和強(qiáng)大工藝加工能力，為后續(xù)類似的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

    2015年9月15日華智科技CEO譚志明先生專程趕到深圳向開發(fā)團(tuán)隊(duì)致謝，向方正微電子贈(zèng)送“大中華區(qū)第一片6英寸碳化硅二極管”紀(jì)念牌，并商討進(jìn)一步深入合作事宜。